Trang in
IRGIB7B60KDPBF
IGBT, 12 A, 2.2 V, 39 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRGIB7B60KDPBF
Mã Đặt Hàng8659648
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRGIB7B60KDPBF
Mã Đặt Hàng8659648
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current12A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation39W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220FP
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRGIB7B60KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features low VCE (on) non-punch through IGBT technology and excellent current sharing in parallel operation.
- Square RBSOA
- Positive VCE (on) temperature coefficient
- Rugged transient performance
- Low EMI
- 10µs Short-circuit capability
Ứng Dụng
Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Lighting, Alternative Energy, Power Management
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
12A
Power Dissipation
39W
Transistor Case Style
TO-220FP
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002