Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
Số Lượng | Giá |
---|---|
1+ | US$3.920 |
10+ | US$3.020 |
25+ | US$2.650 |
50+ | US$2.560 |
100+ | US$2.470 |
250+ | US$2.370 |
500+ | US$2.300 |
1000+ | US$2.280 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRS2110SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low Side Driver with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 500 or 600V.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
- Under-voltage lockout for both channels
- Logic and power ground ±5V offset
- CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
- Cycle-by-cycle edge-triggered shutdown logic
- Matched propagation delay for both channels
- Outputs in phase with inputs
Ứng Dụng
Power Management
Thông số kỹ thuật
2Channels
High Side and Low Side
16Pins
Surface Mount
2.5A
10V
-40°C
130ns
-
MSL 3 - 168 hours
-
MOSFET
SOIC
Non-Inverting
2.5A
20V
125°C
120ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản phẩm thay thế cho IRS2110SPBF
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm