Trang in
IXFH12N50F
RF FET Transistor, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtIXYS RF
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXFH12N50F
Mã Đặt Hàng1347752
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id12A
Power Dissipation180W
Operating Frequency Min-
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
The IXFH12N50F is a N-channel Power MOSFET offers low package inductance hence easy to drive and to protect. It is designed for use with DC-to-DC converters, SMPS/RMPS, DC choppers, pulse generation, laser drivers and RF amplifier applications.
- RF capable MOSFET
- Enhancement-mode
- Double metal process for low gate resistance
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching rated
- High power density
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
500V
Power Dissipation
180W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Through Hole
Continuous Drain Current Id
12A
Operating Frequency Min
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 5 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.006