DN2530N3-G
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 175 mA, 12 ohm, TO-92, Through Hole
Bạn cần thêm?
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$0.822 |
| 25+ | US$0.676 |
| 100+ | US$0.624 |
| 1000+ | US$0.612 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The DN2530N3-G is a N-channel depletion-mode vertical DMOS FET utilizes an advanced vertical diffusion metal oxide semiconductor (DMOS) structure and a well proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power-handling capabilities of bipolar transistors, plus the high-input impedance and positive-temperature coefficient inherent in metal-oxide semiconductor (MOS) devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The low threshold normally-on DMOS field-effect transistor (FET) is ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where a very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds are desired.
- Low ON-resistance
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakages
Ứng Dụng
Power Management, Communications & Networking
Thông số kỹ thuật
N Channel
175mA
TO-92
0V
740mW
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
300V
12ohm
Through Hole
-
3Pins
-
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm