Trang in
MSC080SMA120S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-268 (D3PAK)
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMICROCHIP
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMSC080SMA120S
Mã Đặt Hàng3929951
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
34 có sẵn
Bạn cần thêm?
34 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$13.730 |
| 25+ | US$11.010 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$13.73
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMICROCHIP
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMSC080SMA120S
Mã Đặt Hàng3929951
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-268 (D3PAK)
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation182W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
MSC080SMA120S is a 1200V, 80mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 3-lead TO-268 (D3PAK) package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-268 (D3PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
182W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001