Trang in
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT41K512M16VRP-107 AAT:P
Mã Đặt Hàng4050842
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,104 có sẵn
Bạn cần thêm?
1104 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Số Lượng | Giá |
---|---|
1+ | US$19.060 |
10+ | US$17.650 |
25+ | US$17.100 |
50+ | US$16.680 |
100+ | US$15.530 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$19.06
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT41K512M16VRP-107 AAT:P
Mã Đặt Hàng4050842
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
DRAM TypeDDR3L
Memory Density8Gbit
Memory Configuration512M x 16bit
Clock Frequency Max933MHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins96Pins
Supply Voltage Nom1.35V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
MT41K512M16VRP-107 AAT:P is a TwinDie 1.35V DDR3L SDRAM. It is a high-speed, CMOS dynamic random access memory device internally configured as two 8-bank DDR3L SDRAM. It uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O balls. A single read or write access consists of a single 8n-bit-wide, one-clock-cycle data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O balls.
- 512Meg x 16 configuration, data rate is 1866MT/s, automotive certified
- Packaging style is 96-ball FBGA, 8mm x 14mm
- Timing (cycle time) is 1.07ns at CL = 13 (DDR3-1866)
- Operating temperature range is –40°C to +105°C, automotive certification
- Supply voltage range is –0.4V to 1.975V, output driver calibration
- Differential bidirectional data strobe, 8n-bit prefetch architecture
- Differential clock inputs (CK, CK#), 8 internal banks, multipurpose register
- Programmable CAS (READ) latency (CL), programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
- Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF), self refresh mode
- Self refresh temperature (SRT), automatic self refresh (ASR)
Thông số kỹ thuật
DRAM Type
DDR3L
Memory Configuration
512M x 16bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.35V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
8Gbit
Clock Frequency Max
933MHz
No. of Pins
96Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001