Trang in
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT46H64M32LFBQ-48 AIT:C
Mã Đặt Hàng4050856
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
412 có sẵn
Bạn cần thêm?
412 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$12.220 |
| 10+ | US$11.780 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$12.22
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT46H64M32LFBQ-48 AIT:C
Mã Đặt Hàng4050856
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
DRAM TypeMobile LPDDR
Memory Density2Gbit
Memory Configuration64M x 32bit
Clock Frequency Max208MHz
IC Case / PackageVFBGA
No. of Pins90Pins
Supply Voltage Nom1.8V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C is a LPDDR SDRAM. It is a 2Gb mobile low-power DDR SDRAM and a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 2,147,483,648 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM. Each of the x16’s 536,870,912-bit banks are organized as 16,384 rows by 2048 columns by 16 bits. Each of the x32’s 536,870,912-bit banks are organized as 16,384 rows by 1024 columns by 32 bits. It has an internal, pipelined double data rate (DDR) architecture; two data accesses per clock cycle. this memory has deep power-down (DPD), status read register (SRR) and selectable output drive strength (DS).
- Operating voltage range is 1.8V, deep power-down (DPD)
- 64Meg x 32 configuration, automotive certified
- Packaging style is 90-ball (8mm x 13mm) VFBGA, “green”
- Timing (cycle time) is 4.8ns at CL = 3 (208 MHz), JEDEC-standard addressing
- Industrial operating temperature range is –40˚C to +85˚C, design generation
- Clock rate is 208MHz, bidirectional data strobe per byte of data (DQS)
- Differential clock inputs (CK and CK#), commands entered on each positive CK edge
- DQS edge-aligned with data for READs, centeraligned with data for WRITEs
- Concurrent auto precharge option is supported, auto refresh and self refresh modes
- Temperature-compensated self refresh (TCSR), partial-array self refresh (PASR)
Thông số kỹ thuật
DRAM Type
Mobile LPDDR
Memory Configuration
64M x 32bit
IC Case / Package
VFBGA
Supply Voltage Nom
1.8V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
2Gbit
Clock Frequency Max
208MHz
No. of Pins
90Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001777