Trang in
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT53E1G64D4HJ-046 AAT:C
Mã Đặt Hàng4050870
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
680 có sẵn
Bạn cần thêm?
680 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$113.170 |
| 5+ | US$109.150 |
| 10+ | US$106.200 |
| 25+ | US$103.270 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$113.17
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT53E1G64D4HJ-046 AAT:C
Mã Đặt Hàng4050870
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density64Gbit
Memory Configuration1G x 64bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins556Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C is a LPDDR4 SDRAM. It is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This memory is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks. It has programmable VSS (ODT) termination and single-ended CK and DQS support. This memory has directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling.
- Operating voltage is 1.10V (VDD2) 0.60V or 1.10V (VDDQ)
- 1Gig x 64 configuration, LPDDR4, 4die addressing
- Packaging style is 556-ball TFBGA 12.4 x 12.4 x 1.1mm (Ø0.24 SMD)
- Cycle time is 468ps at RL = 36/40, clock-stop capability
- Operating temperature range is –40°C to +105°C, automotive certified, C design
- Clock rate is 2133MHz, data rate per pin is 4266Mb/s
- Ultra-low-voltage core and I/O power supplies
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), selectable output drive strength (DS)
Thông số kỹ thuật
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
1G x 64bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
64Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
556Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001