Trang in
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT53E256M32D2DS-053 AUT:B
Mã Đặt Hàng4050878
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
584 có sẵn
Bạn cần thêm?
584 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$22.020 |
| 10+ | US$21.410 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$22.02
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT53E256M32D2DS-053 AUT:B
Mã Đặt Hàng4050878
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density8Gbit
Memory Configuration256M x 32bit
Clock Frequency Max1.866GHz
IC Case / PackageWFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B is a 4Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ. It is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory. This memory is internally configured with x16 I/O, 8-banks. Each of the x16’s 536,870,912-bit banks are organized as 32,768 rows by 1024 columns by 16 bits. It has directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling. This memory has on-chip temperature sensor to control self refresh rate. It has clock-stop capability.
- Operating voltage range is 1.10V (VDD2)/0.60V or 1.10V (VDDQ)
- 256Meg x 32 configuration, LPDDR4, 2die addressing
- Packaging style is 200-ball WFBGA 10 x 14.5 x 0.8mm (Ø0.35 SMD)
- Cycle time is 535ps at RL = 32/36, B design
- Operating temperature range is –40°C to +125°C, automotive qualified
- Clock rate is 1866MHz, data rate per pin is 3733Mb/s
- Ultra-low-voltage core and I/O power supplies
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), selectable output drive strength (DS)
Thông số kỹ thuật
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
256M x 32bit
IC Case / Package
WFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
8Gbit
Clock Frequency Max
1.866GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
125°C
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002305