Trang in
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNGW40T65H3DHPQ
Mã Đặt Hàng4697666
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
430 có sẵn
Bạn cần thêm?
430 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$4.180 |
| 10+ | US$2.760 |
| 100+ | US$2.410 |
| 500+ | US$2.060 |
| 1000+ | US$1.710 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$4.18
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNGW40T65H3DHPQ
Mã Đặt Hàng4697666
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current72A
Collector Emitter Saturation Voltage1.69V
Power Dissipation275W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
NGW40T65H3DHPQ is a 650V, 40A trench field-stop IGBT with half rated silicon in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW40T65H3DHP is rated to 175 °C with optimized IGBT turn-off losses. This hard-switching 650V, 40A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications.
- IGBT collector current is rated at 40A, diode forward current is rated at 20A
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and fast reverse recovery diode
- HV-H3TRB qualified
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
72A
Power Dissipation
275W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.69V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001