Trang in
NX1029X,115
Dual MOSFET, Trench, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNX1029X,115
Mã Đặt Hàng2575106RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
66,914 có sẵn
Bạn cần thêm?
54440 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
12474 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 50+ | US$0.223 |
| 250+ | US$0.167 |
| 1000+ | US$0.125 |
| 2000+ | US$0.108 |
| 4000+ | US$0.103 |
| 10000+ | US$0.098 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$22.30
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNX1029X,115
Mã Đặt Hàng2575106RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id330mA
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel330mA
On Resistance Rds(on)1ohm
Continuous Drain Current Id P Channel330mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Transistor Case StyleSOT-666
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd330mW
Power Dissipation N Channel330mW
Power Dissipation P Channel330mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
330mA
Continuous Drain Current Id N Channel
330mA
Continuous Drain Current Id P Channel
330mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-666
Power Dissipation Pd
330mW
Power Dissipation P Channel
330mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00002