Trang in
PMGD290XN,115
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPMGD290XN,115
Mã Đặt Hàng1758099RL
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
37,364 có sẵn
Bạn cần thêm?
2696 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
34668 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 500+ | US$0.305 |
| 1500+ | US$0.298 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 500
Nhiều: 5
US$152.50
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPMGD290XN,115
Mã Đặt Hàng1758099RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id200mA
Continuous Drain Current Id N Channel200mA
On Resistance Rds(on)0.29ohm
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.29ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd410mW
Power Dissipation N Channel410mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The PMGD290XN,115 is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for driver circuits and switching in portable appliances applications. The device offers 40% smaller footprint.
- Fast switching speed
- Low ON-state resistance
- Low threshold voltage
Ứng Dụng
Industrial, Portable Devices, Power Management
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
200mA
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
410mW
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
200mA
On Resistance Rds(on)
0.29ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.29ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-363
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
410mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000006