Trang in
PSMN1R0-40YLDX
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPSMN1R0-40YLDX
Mã Đặt Hàng2449088
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1 có sẵn
Bạn cần thêm?
1 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$4.200 |
| 10+ | US$2.730 |
| 100+ | US$1.890 |
| 500+ | US$1.600 |
| 1000+ | US$1.450 |
| 5000+ | US$1.300 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$4.20
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPSMN1R0-40YLDX
Mã Đặt Hàng2449088
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance930µohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation198W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The PSMN1R0-40YLD is a N-channel enhancement-mode logic level gate drive MOSFET designed using advanced TrenchMOS® Superjunction technology. It is designed and qualified for high performance power switching applications.
- NextPower-S3 technology delivers superfast switching with soft recovery
- Low QRR, QG and QGD for high system efficiency and low EMI designs
- Schottky-plus body-diode, gives soft switching without the associated high IDSS leakage
- Optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower-S3 Superjunction technology
- High reliability LFPAK package, copper-clip, solder die attach and qualified to 150°C
- Exposed leads can be wave soldered, visual solder joint inspection and high quality solder joints
- Low parasitic inductance and resistance
- -55 to 150°C Junction temperature range
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Medical
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
198W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
930µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho PSMN1R0-40YLDX
Tìm Thấy 8 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000146