Trang in
PSMN3R0-30YLDX
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerSO, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
4,239 có sẵn
Bạn cần thêm?
1221 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
3018 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$0.970 |
| 10+ | US$0.682 |
| 50+ | US$0.466 |
| 200+ | US$0.391 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$0.97
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPSMN3R0-30YLDX
Mã Đặt Hàng2400981
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
Transistor Case StylePowerSO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation91W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The PSMN3R0-30YLD is a N-channel enhancement-mode logic level gate drive MOSFET optimised for 4.5V gate drive. NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.
- Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
- Superfast switching with soft-recovery (s-factor<gt/>1)
- Low spiking and ringing for low EMI designs
- Unique SchottkyPlus technology
- Schottky-like performance with <lt/>1µA leakage at 25°C
- Low parasitic inductance and resistance
- High reliability clip bonded and solder die attach power SO8 package
- No glue, no wire bonds, qualified to 175°C
- Wave solderable, exposed leads for optimal visual solder inspection
- -55 to 175°C Junction temperature range
Ứng Dụng
Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Motor Drive & Control, Multimedia, Industrial
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
PowerSO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
91W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000363