Trang in
BFG135
Bipolar - RF Transistor, NPN, 15 V, 7 GHz, 1 W, 150 mA, SOT-223
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNXP
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBFG135
Mã Đặt Hàng1081288RL
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNXP
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBFG135
Mã Đặt Hàng1081288RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max15V
Power Dissipation1W
Continuous Collector Current150mA
Transistor Case StyleSOT-223
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min130hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Tổng Quan Sản Phẩm
The BFG135 is a 7GHz NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor intended for wideband amplifier applications. The small emitter structures, with integrated emitter-ballasting resistors, ensure high output voltage capabilities at a low distortion level. The distribution of the active areas across the surface of the device gives an excellent temperature profile.
- 175°C Junction temperature
Ứng Dụng
RF Communications, Audio
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation
1W
Transistor Case Style
SOT-223
DC Current Gain hFE Min
130hFE
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
15V
Continuous Collector Current
150mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Netherlands
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Netherlands
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001216