Trang in
BFG591
Bipolar - RF Transistor, NPN, 15 V, 7 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNXP
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBFG591
Mã Đặt Hàng1081291
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNXP
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBFG591
Mã Đặt Hàng1081291
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max15V
Power Dissipation2W
Continuous Collector Current200mA
Transistor Case StyleSOT-223
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min90hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Sản phẩm thay thế cho BFG591
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The BFG591 is a NPN silicon planar epitaxial Wideband Transistor features high power gain and low noise figure. Intended for applications in the GHz range such as MATV or CATV amplifiers.
- High transition frequency
- Gold metallization ensures excellent reliability
Ứng Dụng
RF Communications
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation
2W
Transistor Case Style
SOT-223
DC Current Gain hFE Min
90hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
15V
Continuous Collector Current
200mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Netherlands
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Netherlands
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000264