Trang in
FDC6301N..
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 220 mA, 5 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
1,011 có sẵn
Bạn cần thêm?
1011 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.368 |
| 50+ | US$0.302 |
| 100+ | US$0.235 |
| 500+ | US$0.156 |
| 1500+ | US$0.153 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$1.84
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDC6301N..
Mã Đặt Hàng1700673
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDC6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. It is very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this N-channel FET's can replace several digital transistors, with a variety of bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- -0.5 to 8V Gate to source voltage
- 0.22A Continuous drain/output current
- 0.5A Pulsed drain/output current
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
5ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000091