Trang in
FDC6318P
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 2.5 A
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
7,700 có sẵn
Bạn cần thêm?
7700 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.516 |
| 500+ | US$0.414 |
| 1000+ | US$0.378 |
| 5000+ | US$0.331 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$51.60
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDC6318P
Mã Đặt Hàng1611390RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
On Resistance Rds(on)0.09ohm
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.09ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation Pd960mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDC6318P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
- ±8V Gate to source voltage
- -2.5A Continuous drain/output current
- -7A Pulsed drain/output current
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id
2.5A
On Resistance Rds(on)
0.09ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
2.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
0.09ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation Pd
960mW
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001