Trang in
FDS6912A
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
6,323 có sẵn
Bạn cần thêm?
247 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
6076 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.460 |
| 500+ | US$0.370 |
| 1000+ | US$0.337 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$46.00
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDS6912A
Mã Đặt Hàng1095019RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6A
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Continuous Drain Current Id P Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.019ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd1.6W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDS6912A is a 30V Dual N-channel logic level PowerTrench® MOSFET produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V gate source voltage (VGSS)
- 78°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 40°C/W Thermal resistance, junction to case
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.019ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation Pd
1.6W
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000223