Trang in
FDS6975.
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 6 A
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
2,688 có sẵn
Bạn cần thêm?
2688 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.842 |
| 500+ | US$0.581 |
| 2500+ | US$0.547 |
| 5000+ | US$0.542 |
| 7500+ | US$0.536 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$84.20
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDS6975.
Mã Đặt Hàng9844902RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.025ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDS6975 is a dual P-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for notebook computer applications load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Ứng Dụng
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.025ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (4)
Sản phẩm thay thế cho FDS6975.
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000462