Trang in
HGTP7N60A4
IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtHGTP7N60A4
Mã Đặt Hàng1095121
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current34A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation125W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
The HGTP7N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
- 1.9V @ IC = 7A Low saturation voltage
- 75ns Fall time @ TJ = 125°C
- 125W Total power dissipation @ TC = 25°C
Ứng Dụng
Power Management, Maintenance & Repair
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
34A
Power Dissipation
125W
Transistor Case Style
TO-220AB
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:South Korea
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:South Korea
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002033