Trang in
MJE13009G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 12 A, 2 W, TO-220, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Không còn hàng
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMJE13009G
Mã Đặt Hàng9557865
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current12A
Power Dissipation2W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min4hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Sản phẩm thay thế cho MJE13009G
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
12A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
4hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
2W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002