Trang in
MMBT3904LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
1,163,718 có sẵn
Bạn cần thêm?
108060 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
1055658 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.123 |
| 10+ | US$0.077 |
| 100+ | US$0.045 |
| 500+ | US$0.034 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$0.62
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMMBT3904LT1G
Mã Đặt Hàng1459100
Phạm vi sản phẩmMMBTxxxx
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min300hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
MMBT3904LT1G is a NPN silicon, surface mount, general purpose transistor.
- Collector-emitter breakdown voltage is 40VDC min (TA = 25°C, IC = 1.0mAdc, IB = 0)
- Collector-base breakdown voltage is 60VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Emitter-base breakdown voltage is 6.0VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Collector current - continuous is 900mAdc max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 225mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 556°C/W max (TA = 25°C)
- Collector cutoff current is 50nAdc max (VCE = 30VDC, VEB = 3.0Vdc)
- Noise figure is 5.0dB max (VCE = 5.0VDC, IC = 100µADC, RS = 1.0kohm, f = 1.0KHz)
- SOT-416 package
- Junction temperature range from -65 to +150°C
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
300hFE
Product Range
MMBTxxxx
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho MMBT3904LT1G
Tìm Thấy 8 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.09