Trang in
MMUN2211LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
42,000 có sẵn
Bạn cần thêm?
42000 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 3000+ | US$0.023 |
| 9000+ | US$0.019 |
Giá cho:Each (Supplied on Full Reel)
Tối thiểu: 3000
Nhiều: 3000
US$69.00
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMMUN2211LT1G
Mã Đặt Hàng2317902
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolaritySingle NPN
Digital Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Continuous Collector Current Ic100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Resistor Ratio, R1 / R21(Ratio)
Base Emitter Resistor R210kohm
RF Transistor CaseSOT-23
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The MMUN2211LT1G is a NPN Digital Transistor with monolithic bias resistor network designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
Ứng Dụng
Industrial, Automotive, Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current Ic
100mA
Continuous Collector Current
100mA
Resistor Ratio, R1 / R2
1(Ratio)
RF Transistor Case
SOT-23
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Digital Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
10kohm
Base Emitter Resistor R2
10kohm
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho MMUN2211LT1G
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000031