Trang in
MUN5311DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMUN5311DW1T1G
Mã Đặt Hàng2464148
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
79,865 có sẵn
Bạn cần thêm?
79865 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.107 |
| 50+ | US$0.091 |
| 100+ | US$0.074 |
| 500+ | US$0.051 |
| 1500+ | US$0.050 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$0.54
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMUN5311DW1T1G
Mã Đặt Hàng2464148
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Digital Transistor PolarityNPN and PNP Complement
Transistor PolarityNPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Continuous Collector Current Ic100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R210kohm
Resistor Ratio, R1 / R21(Ratio)
RF Transistor CaseSOT-363
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation385mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The MUN5311DW1T1G is a dual NPN-PNP Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Digital Transistor Polarity
NPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Continuous Collector Current Ic
100mA
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
10kohm
RF Transistor Case
SOT-363
No. of Pins
6 Pin
Power Dissipation
385mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
NPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Base Input Resistor R1
10kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
1(Ratio)
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho MUN5311DW1T1G
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.004536