NDP6060
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Through Hole
Bạn cần thêm?
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$4.000 |
| 10+ | US$1.770 |
| 100+ | US$1.640 |
| 500+ | US$1.590 |
| 1000+ | US$1.540 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The NDP6060 is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC converters, PWM motor controls and other battery powered circuits where fast-switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. The rugged internal source-drain diode can eliminates the need for an external Zener diode transient suppressor.
- Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
Thông số kỹ thuật
N Channel
48A
TO-220AB
10V
100W
175°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
60V
0.025ohm
Through Hole
2.9V
3Pins
-
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm