NDP6060L
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Through Hole
Bạn cần thêm?
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$3.800 |
| 10+ | US$2.200 |
| 100+ | US$2.000 |
| 500+ | US$1.650 |
| 1000+ | US$1.620 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The NDP6060L is a logic level N-channel enhancement-mode power FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC converters and other battery powered circuits where fast-switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. The rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an external Zener diode transient suppressor.
- Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers
- Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
Thông số kỹ thuật
N Channel
48A
TO-220
10V
100W
175°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
60V
0.025ohm
Through Hole
2V
3Pins
-
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm