3,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.366 |
| 500+ | US$0.255 |
| 1500+ | US$0.250 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDC6321C is a dual N/P-channel Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Complementary N and P Channel
25V
460mA
680mA
460mA
0.45ohm
4.5V
800mV
900mW
900mW
-
-
No SVHC (25-Jun-2025)
N and P Channel
25V
25V
0.33ohm
Surface Mount
1.1ohm
SuperSOT
6Pins
900mW
150°C
-
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho FDC6321C
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm