Trang in
FDC6561AN
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDC6561AN
Mã Đặt Hàng9844813RL
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
103,883 có sẵn
Bạn cần thêm?
101134 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
2749 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Mĩ có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.393 |
| 500+ | US$0.273 |
| 1500+ | US$0.268 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$39.30
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDC6561AN
Mã Đặt Hàng9844813RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel-
On Resistance Rds(on)0.082ohm
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.082ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd960mW
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDC6561AN is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for all applications where small size is desirable but especially DC-to-DC conversion in battery powered systems.
- Low gate charge
- Very fast switching
- Small footprint
- Low profile
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
2.5A
On Resistance Rds(on)
0.082ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.082ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation Pd
960mW
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho FDC6561AN
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000043