FDG6332C
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
Thông Tin Sản Phẩm
Sản phẩm thay thế cho FDG6332C
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDG6332C is a N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive and packages are impractical. It is suitable for use with DC-to-DC converters, load switch and LCD display inverter applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Complementary N and P Channel
20V
700mA
0.18ohm
700mA
0.18ohm
0.18ohm
1.1V
300mW
300mW
-
-
No SVHC (23-Jan-2024)
Complementary N and P Channel
20V
20V
700mA
Surface Mount
4.5V
SC-70
6Pins
300mW
150°C
-
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm