Trang in
FDMC007N08LCDC
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDMC007N08LCDC
Mã Đặt Hàng2895665RL
Phạm vi sản phẩmPowerTrench
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
366 có sẵn
Bạn cần thêm?
366 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$2.030 |
| 500+ | US$1.850 |
| 1000+ | US$1.790 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$203.00
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDMC007N08LCDC
Mã Đặt Hàng2895665RL
Phạm vi sản phẩmPowerTrench
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source On State Resistance6800µohm
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
FDMC007N08LCDC is a Power Trench® shielded gate N‐channel MOSFET. This is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode. Applications include primary DC−DC MOSFET, synchronous rectifier in DC−DC and AC−DC, motor drive, solar.
- 5.1mohm typ static drain to source on resistance (VGS = 10V, ID = 22A, TJ = 25°C)
- 1.5V typical gate to source threshold voltage (VGS = VDS, ID = 130µA, TJ = 25°C)
- 80V typical drain to source breakdown voltage (ID = 250µA, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- 5V drive capable, 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- Lowers switching noise/EMI, 100% UIL tested
- 1µA maximum zero gate voltage drain current (VDS = 64V, VGS = 0V)
- 80S typical forward transconductance (VDS = 5V, ID = 22A)
- 0.5ohm typ gate resistance (TJ = 25°C), 11ns typ Turn-on delay time (VDD = 40V,ID = 22A,VGS = 10V)
- 24nC typical reverse recovery charge (IF = 11A, di/dt = 300A/µs)
- PQFN8 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Transistor Case Style
QFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
6800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001