Trang in
FDV303N
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
99,796 có sẵn
Bạn cần thêm?
18386 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
81410 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.347 |
| 10+ | US$0.216 |
| 100+ | US$0.102 |
| 500+ | US$0.100 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$1.73
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDV303N
Mã Đặt Hàng9845020
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id680mA
Drain Source On State Resistance0.45ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDV303N is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V and designed for application in battery circuits using either one lithium or three cadmium or NHM cells, inverters, high efficiency miniature discrete DC/DC conversion in electronic devices like cellular phones and pagers.
- Drain to source voltage (Vds) of 25V
- Gate to source voltage of 8V
- Continuous drain current (Id) of 680mA
- Power dissipation (Pd) of 350mW
- Low on state resistance of 330mohm at Vgs 4.5V
- Operating temperature range -55°C to 150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
680mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho FDV303N
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 5 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000035