Trang in
RMLV0408EGSB-4S2#HA1
SRAM, Asynchronous SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8bit, TSOP-II, 32 Pins, 2.7 V
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
995 có sẵn
Bạn cần thêm?
995 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 10+ | US$12.920 |
| 25+ | US$12.270 |
| 50+ | US$11.950 |
| 100+ | US$11.640 |
| 250+ | US$11.250 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 10
Nhiều: 1
US$129.20
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtRENESAS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtRMLV0408EGSB-4S2#HA1
Mã Đặt Hàng4146925RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Memory Size4Mbit
SRAM TypeAsynchronous SRAM, LPSRAM
SRAM Memory Configuration512Kword x 8bit
Memory Density4Mbit
Supply Voltage Range2.7V to 3.6V
Memory Configuration512Kword x 8bit
Memory Case StyleTSOP-II
IC Case / PackageTSOP-II
No. of Pins32Pins
Supply Voltage Min2.7V
Access Time45ns
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
Clock Frequency Max-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
RMLV0408E series 4Mb advanced LPSRAM (512-kword × 8bit). It is a family of 4-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 8bit, fabricated by Renesas’s high-performance Advanced LPSRAM technologies. This has realized higher density, higher performance, and low power consumption. It offers low power standby power dissipation, therefore, it is suitable for battery backup systems.
- Maximum access time is 45ns, typical current consumption standby is 0.3µA
- Equal access and cycle times, common data input and output three state output
- Directly TTL compatible all inputs and outputs, battery backup operation
- Supply voltage range from 2.7 to 3.6V, input high voltage is 2.2V (min)
- Input leakage current is 1µA (max, Vin = VSS to VCC)
- Operating current is 10mA (max, CS# =VIL, others = VIH/VIL, II/O = 0mA)
- Standby current is 0.3mA (max, CS2 = VIL, others = VSS to VCC)
- Input capacitance is 8pF (max, Vin =0V, Vcc = 2.7 to 3.6V, f = 1MHz, Ta = -40 to +85°C)
- Read cycle time is 45ns (minimum)
- 32-pin plastic TSOP package, temperature range from -40 to +85°C
Thông số kỹ thuật
Memory Size
4Mbit
SRAM Memory Configuration
512Kword x 8bit
Supply Voltage Range
2.7V to 3.6V
Memory Case Style
TSOP-II
No. of Pins
32Pins
Access Time
45ns
Supply Voltage Nom
3V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
Automotive Qualification Standard
-
SRAM Type
Asynchronous SRAM, LPSRAM
Memory Density
4Mbit
Memory Configuration
512Kword x 8bit
IC Case / Package
TSOP-II
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Max
3.6V
Clock Frequency Max
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001