Trang in
QS8M51TR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 100 V, 100 V, 2 A, 2 A, 0.325 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtROHM
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtQS8M51TR
Mã Đặt Hàng2706599RL
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 19 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.914 |
| 500+ | US$0.774 |
| 1000+ | US$0.596 |
| 5000+ | US$0.565 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$91.40
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtROHM
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtQS8M51TR
Mã Đặt Hàng2706599RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
On Resistance Rds(on)0.24ohm
Continuous Drain Current Id N Channel2A
Continuous Drain Current Id P Channel2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.325ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.47ohm
Transistor Case StyleTSMT
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd1.5W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
0.24ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
2A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.47ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.325ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TSMT
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000064