Trang in
UM6J1NTN
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 0.9 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 22 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.291 |
| 500+ | US$0.229 |
| 1000+ | US$0.177 |
| 5000+ | US$0.145 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$29.10
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtROHM
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtUM6J1NTN
Mã Đặt Hàng2706714RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id200mA
On Resistance Rds(on)0.9ohm
Continuous Drain Current Id N Channel200mA
Continuous Drain Current Id P Channel200mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.9ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.9ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd150mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel150mW
Power Dissipation P Channel150mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.9ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
200mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
150mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
200mA
Continuous Drain Current Id N Channel
200mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.9ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.9ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
150mW
Power Dissipation N Channel
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000005