Bạn cần thêm?
Số Lượng | Giá |
---|---|
1+ | US$5.790 |
10+ | US$4.600 |
25+ | US$4.590 |
50+ | US$4.580 |
100+ | US$4.570 |
250+ | US$4.560 |
500+ | US$4.550 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
MASTERGAN4LTR is a 600V half-bridge enhancement-mode GaN HEMT with a high-voltage driver. It is an advanced power system-in-package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in a half‑bridge configuration. It features UVLO protection on VCC, preventing the power switches from operating in low efficiency or dangerous conditions, and the interlocking function avoids cross-conduction conditions. The input pins extended range allows easy interfacing with analogue controllers, microcontrollers, and DSP units. Typical applications are high-frequency resonant converters including LLC, LCC and resonant flyback, active clamp flybacks, switch-mode power supplies, chargers and adapters, PFC, high-voltage DC-DC and DC-AC converters.
- Reverse current capability, zero reverse recovery loss
- UVLO protection on VCC, internal bootstrap diode
- Interlocking function, dedicated pin for shutdown functionality
- Accurate internal timing match
- 3.3V to 15V compatible inputs with hysteresis and pull-down
- Overtemperature protection, bill of material reduction
- Very compact and simplified layout, flexible, easy, and fast design
- QFN package
- Industrial temperature range from -40°C to 125°C
- Output capacitance is 14.2pF (VGS = 0V, VDS = 400V)
Thông số kỹ thuật
1Channels
Half Bridge
31Pins
Surface Mount
-
4.75V
-40°C
-
-
No SVHC (21-Jan-2025)
-
GaN HEMT
QFN-EP
Non-Inverting
-
9.5V
125°C
-
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm