Trang in
GT25Q102
IGBT, 25 A, 2.7 V, 200 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtTOSHIBA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtGT25Q102
Mã Đặt Hàng1300802
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current25A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleTO-3P
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
25A
Power Dissipation
200W
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Transistor Case Style
TO-3P
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Japan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Japan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00975