Trang in
SI1023CX-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI1023CX-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3772734RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Tùy Chọn Đóng Gói
16,989 có sẵn
Bạn cần thêm?
2910 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
14079 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.168 |
| 500+ | US$0.141 |
| 1000+ | US$0.128 |
| 5000+ | US$0.119 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$16.80
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI1023CX-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3772734RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id450mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.63ohm
Continuous Drain Current Id N Channel450mA
Continuous Drain Current Id P Channel450mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.63ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.63ohm
Transistor Case StyleSC-89
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd220mW
Power Dissipation N Channel220mW
Power Dissipation P Channel220mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
450mA
On Resistance Rds(on)
0.63ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
450mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.63ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.63ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
220mW
Power Dissipation P Channel
220mW
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
450mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SC-89
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
220mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001