Trang in
SI3588DV-T1-E3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.064 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI3588DV-T1-E3
Mã Đặt Hàng1612643RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI3588DV-T1-E3
Mã Đặt Hàng1612643RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.064ohm
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel2.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.064ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.064ohm
Transistor Case StyleTSOP
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd830mW
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel83mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Sản phẩm thay thế cho SI3588DV-T1-E3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The SI3588DV-T1-E3 is a 20V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Ứng Dụng
Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
2.5A
On Resistance Rds(on)
0.064ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.064ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.064ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
Power Dissipation Pd
830mW
Power Dissipation P Channel
83mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSOP
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000108