Trang in
SI3590DV-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI3590DV-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2056715
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,873 có sẵn
Bạn cần thêm?
1873 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.804 |
| 50+ | US$0.668 |
| 100+ | US$0.532 |
| 500+ | US$0.456 |
| 1500+ | US$0.380 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$4.02
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI3590DV-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2056715
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.062ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.062ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel830mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- Low conduction losses
Ứng Dụng
Power Management
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.062ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
830mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.062ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Israel
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Israel
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000045