Trang in
SI4532CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI4532CDY-T1-GE3
Mã Đặt Hàng1779268RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
42,962 có sẵn
Bạn cần thêm?
42962 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.435 |
| 500+ | US$0.320 |
| 1000+ | US$0.288 |
| 5000+ | US$0.252 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$43.50
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI4532CDY-T1-GE3
Mã Đặt Hàng1779268RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.038ohm
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.038ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.038ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2.78W
Power Dissipation N Channel2.78W
Power Dissipation P Channel2.78W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The SI4532CDY-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Ứng Dụng
Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.038ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.038ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.038ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
2.78W
Power Dissipation P Channel
2.78W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2.78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho SI4532CDY-T1-GE3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0005