Trang in
SI5517DU-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI5517DU-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3772766RL
Phạm vi sản phẩmTrench Series
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
19 có sẵn
Bạn cần thêm?
19 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 500+ | US$0.601 |
| 1000+ | US$0.535 |
| 5000+ | US$0.501 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Số lượng tối đa có sẵn là 19
Tối thiểu: 500
Nhiều: 1
US$300.50
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI5517DU-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3772766RL
Phạm vi sản phẩmTrench Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.032ohm
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.032ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.032ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StylePowerPAK
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2.3W
Power Dissipation N Channel2.3W
Power Dissipation P Channel2.3W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
Sản phẩm thay thế cho SI5517DU-T1-GE3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
0.032ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.032ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
2.3W
Power Dissipation P Channel
2.3W
Product Range
Trench Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.032ohm
Transistor Case Style
PowerPAK
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:To Be Advised
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000073