Trang in
SI6913DQ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI6913DQ-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2454810RL
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
2,078 có sẵn
Bạn cần thêm?
2078 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 10+ | US$1.250 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$125.00
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI6913DQ-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2454810RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Continuous Drain Current Id4.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.9A
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Continuous Drain Current Id P Channel4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.016ohm
Transistor Case StyleTSSOP
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation Pd830mW
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel830mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Continuous Drain Current Id
4.9A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.9A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.9A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.016ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
830mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation Pd
830mW
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Israel
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Israel
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00033