Trang in
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI7223DN-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2857067RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Gen III Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
550 có sẵn
6,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
550 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.635 |
| 500+ | US$0.497 |
| 1000+ | US$0.462 |
| 5000+ | US$0.426 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$63.50
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI7223DN-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2857067RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Gen III Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
On Resistance Rds(on)0.022ohm
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.022ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.022ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Power Dissipation Pd23W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel23W
Power Dissipation P Channel23W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
23W
Product Range
TrenchFET Gen III Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.022ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.022ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.022ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
23W
Power Dissipation N Channel
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho SI7223DN-T1-GE3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Israel
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Israel
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000272