Trang in
SI7949DP-T1-E3
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
11,178 có sẵn
Bạn cần thêm?
11178 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.999 |
| 500+ | US$0.750 |
| 1500+ | US$0.735 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$99.90
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI7949DP-T1-E3
Mã Đặt Hàng2101481RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
On Resistance Rds(on)0.051ohm
Continuous Drain Current Id N Channel3.2A
Continuous Drain Current Id P Channel3.2A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.051ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.051ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Gate Source Threshold Voltage Max3V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The SI7949DP-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- TrenchFET® power MOSFET
- New low thermal resistance PowerPAK® package with low 1.07mm profile
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
3.2A
On Resistance Rds(on)
0.051ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
3.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.051ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.051ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.2A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho SI7949DP-T1-E3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000635