Trang in
SIA929DJ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIA929DJ-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3772815RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Gen III Series
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
17,531 có sẵn
Bạn cần thêm?
17531 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.421 |
| 500+ | US$0.330 |
| 1000+ | US$0.274 |
| 5000+ | US$0.250 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$42.10
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIA929DJ-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3772815RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Gen III Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
On Resistance Rds(on)0.052ohm
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.052ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.052ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd7.8W
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
4.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.052ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
Power Dissipation Pd
7.8W
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
TrenchFET Gen III Series
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.052ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001