Trang in
SIDR870ADP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 95 A, 0.0066 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIDR870ADP-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2846628
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
35,484 có sẵn
Bạn cần thêm?
35484 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$1.500 |
| 50+ | US$1.310 |
| 100+ | US$1.120 |
| 500+ | US$0.999 |
| 1500+ | US$0.972 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$7.50
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIDR870ADP-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2846628
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id95A
Drain Source On State Resistance0.0066ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
SIDR870ADP-T1-GE3 is a N-channel (D-S) MOSFET. Application includes synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, OR-ing, power supplies, motor drive control, battery and load switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer
- 100% Rg and UIS tested
- Drain-source breakdown voltage is 100V (min, VGS = 0V, ID = 250μA, TJ = 25°C)
- VDS temperature coefficient is 56mV/°C (typ, ID = 250μA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 1.5 to 3V (VDS = VGS, ID = 250μA)
- Zero gate voltage drain current is 1μA (min, VDS = 100V, VGS = 0V)
- Forward transconductance is 68S (typ, VDS = 10V, ID = 20A, TJ = 25°C)
- Output capacitance is 719pF (typ, VDS = 50V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- PowerPAK SO-8DC package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
95A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0066ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho SIDR870ADP-T1-GE3
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000074