Trang in
SIZ322DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 5290 µohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIZ322DT-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2932983RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Gen IV Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
979 có sẵn
Bạn cần thêm?
979 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.513 |
| 500+ | US$0.424 |
| 1000+ | US$0.385 |
| 5000+ | US$0.362 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$51.30
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIZ322DT-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2932983RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Gen IV Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
On Resistance Rds(on)0.00529ohm
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel5290µohm
Drain Source On State Resistance P Channel5290µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAIR
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd16.7W
Power Dissipation N Channel16.7W
Power Dissipation P Channel16.7W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
Sản phẩm thay thế cho SIZ322DT-T1-GE3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id
30A
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
5290µohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
16.7W
Power Dissipation P Channel
16.7W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
On Resistance Rds(on)
0.00529ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
5290µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
16.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Israel
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Israel
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:To Be Advised
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.003