Trang in
SIZ340ADT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 69.7 A, 69.7 A, 3570 µohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIZ340ADT-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3397316RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Gen IV Series
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
6,732 có sẵn
Bạn cần thêm?
6732 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.686 |
| 500+ | US$0.493 |
| 1500+ | US$0.484 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$68.60
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIZ340ADT-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3397316RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Gen IV Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id69.7A
On Resistance Rds(on)0.00357ohm
Continuous Drain Current Id N Channel69.7A
Continuous Drain Current Id P Channel69.7A
Drain Source On State Resistance N Channel3570µohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel3570µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAIR
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation Pd31W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel31W
Power Dissipation P Channel31W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
Sản phẩm thay thế cho SIZ340ADT-T1-GE3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.00357ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
69.7A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
31W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
69.7A
Continuous Drain Current Id N Channel
69.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
3570µohm
Drain Source On State Resistance P Channel
3570µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation Pd
31W
Power Dissipation N Channel
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:To Be Advised
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001