Trang in
SQ1912AEEH-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSQ1912AEEH-T1_GE3
Mã Đặt Hàng3470705RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
15,396 có sẵn
Bạn cần thêm?
2950 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
12446 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.308 |
| 500+ | US$0.299 |
| 1000+ | US$0.290 |
| 5000+ | US$0.280 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$30.80
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSQ1912AEEH-T1_GE3
Mã Đặt Hàng3470705RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.2ohm
Continuous Drain Current Id N Channel800mA
Continuous Drain Current Id P Channel800mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.2ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.2ohm
Transistor Case StyleSC-70
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
800mA
On Resistance Rds(on)
0.2ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
800mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.2ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
800mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SC-70
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00001